By IBM và Samsung mới đây đã công bố bước đột phá mới trong thiết kế chip, đó là việc xếp các bóng bán dẫn theo chiều dọc (thay vì nằm phẳng trên bề mặt của chất bán dẫn).
Thiết kế mới này có tên gọi là Vertical Transport Field Effect Transistors (viết tắt VTFET), tạm dịch là bóng bán dẫn hiệu ứng trường dịch chuyển dọc. Thiết kế VTFET mới đã được Samsung và IBM ứng dụng trên một số con chip tiên tiến nhất hiện nay. Về cơ bản, thiết kế mới này sẽ xếp chồng các bóng bán dẫn lên nhau, cho phép dòng điện chạy theo chiều lên xuống của chồng bóng bán dẫn, thay vì bố cục nằm ngang cạnh nhau mà hầu hết các nhà sản xuất chip hiện tại đang sử dụng để sản xuất.
Thiết kế theo chiều dọc đã trở thành xu hướng trong thời gian gần đây của các hãng điện tử, Intel là một trong số các nhà sản xuất đã và đang nghiên cứu theo hướng này. Tuy nhiên thì thiết kế của Intel sẽ tập trung vào việc xếp chồng các thành phần khác nhau của bộ vi xử lý thay vì xếp chồng từng bóng bán dẫn riêng lẻ. Những năm gần đây, các nhà sản xuất gần như đã hết cách để có thể thêm nhiều hơn các bóng bán dẫn trên một mặt phẳng và phương thức thiết kế như vậy đã có thể giải quyết phần nào giới hạn này.
Theo Samsung và IBM, thiết kế VTFET có khả năng cải thiện gấp đôi hiệu suất xử lý và giảm tới 85% mức tiêu thụ điện năng khi sử dụng. Hơn nữa, Samsung và IBM cũng tuyên bố bằng Định luật Moore sẽ chưa bị phá vỡ, nó sẽ vẫn tiếp tục được duy trì với phương thức thiết kế mới này.
Tham vọng của IBM và Samsung đối với công nghệ này là rất lớn, họ đang manh nha ý tưởng về những chiếc smartphone với thời lượng pin có thể sử dụng cả tuần cho mỗi một lần sạc. Như vậy sẽ khắc phục được điểm yếu còn tồn đọng của smartphone, đó là về thời lượng pin. Không chỉ dùng lại ở những smartphone tham vọng của họ còn vươn tầm đến với những chiếc tàu vũ trụ sẽ sử dụng những con chip được sản xuất theo phương thức mới này.
