Mới đây, Samsung vừa giới thiệu một giải pháp RAM DDR5 mới nhất, cho phép người dùng có thể sở hữu 512GB RAM DDR5 trên một thanh duy nhất. Samsung cũng tuyên bố rằng, công nghệ RAM DDR5 sẽ nhanh gấp đôi so với thế hệ tiền nhiệm, đạt tốc độ lên tới 6400Mbps. Thêm nữa, dù tốc độ được đẩy lên đáng kể nhưng công nghệ RAM mới lại không gia tăng lượng điện tiêu thụ. Theo Samsung, RAM DDR5 đã được giảm được 30% lượng điện tiêu thụ nhờ nguồn điện áp yêu cầu thấp hơn.
Thanh RAM 512GB DDR5-7200 của Samsung được cải tiến về công nghệ đóng xếp lớp bộ nhớ (layer stacking memory packing). Công nghệ này cũng đang được sử dụng trên RAM DDR4 mới nhất của hãng. Cả 2 đều được kết nối bởi công nghệ Silicom (Through Silicon Via) của chính Samsung.
Thông qua việc mài các lớp Silicon, Samsung đã có thể làm cho cấu trúc của thanh RAM mỏng hơn 40% so với thế hệ tiền nhiệm. Trên thực tế, 8 lớp silicon xếp chồng trên RAM DDR5 (1.0mm) còn mỏng hơn cả 4 lớp xếp chồng (1.2mm) trên RAM DDR4. Ngoài ra, khoảng cách giữa các lớp xếp chồng cũng được giảm xuống, giúp cho chipset tích hợp DDR5 sẽ được tối ưu về diện tích hơn nữa. Samsung đã đề cập rằng họ sẽ cung cấp RAM DDR5 cho các trung tâm dữ liệu, nhà sản xuất điện thoại thông minh và nhà sản xuất máy tính xách tay.