Samsung được cho là đang chuẩn bị một bước nhảy vọt về hiệu năng cho Galaxy S26 Ultra, dự kiến ra mắt vào năm 2026. Theo những thông tin rò rỉ mới nhất, mẫu flagship này sẽ được trang bị RAM LPDDR5X thế hệ mới siêu nhanh cùng vi xử lý Snapdragon 8 Elite 2, hứa hẹn tạo ra một tiêu chuẩn mới về hiệu suất trên smartphone Android.

Bước nhảy vọt về hiệu năng với RAM thế hệ mới

Dù dòng Galaxy S25 còn chưa ra mắt, cộng đồng công nghệ đã bắt đầu hướng sự chú ý vào thế hệ Galaxy S26. Theo leaker nổi tiếng Ice Universe, Galaxy S26 Ultra sẽ được trang bị RAM LPDDR5X mới nhất của Micron với tốc độ lên tới 10,7 Gbps. Đây là một nâng cấp đáng kể so với tốc độ 9,6 Gbps dự kiến trên S25 Ultra.

Sự cải tiến này đến từ kiến trúc DRAM 1γ (1-gamma) mới của Micron, mang lại hiệu quả vượt trội. So với thế hệ 1β (1-beta) trước đó, công nghệ mới không chỉ giúp tiết kiệm năng lượng tốt hơn mà còn cải thiện khả năng xử lý đa nhiệm, cho phép hiệu suất hoạt động mượt mà hơn mà không gây hao pin.

Dù mức tăng tốc độ này có thể không quá rõ rệt trong các tác vụ hàng ngày, nó sẽ tạo ra sự khác biệt đáng kể trong các ứng dụng đòi hỏi cao như chơi game hay xử lý video. Tại những tác vụ này, băng thông bộ nhớ đóng vai trò quan trọng để đảm bảo sự ổn định và hiệu năng cao.

Trong bối cảnh Samsung ngày càng tập trung vào việc tích hợp các tính năng trí tuệ nhân tạo (AI) trên thiết bị, việc nâng cấp RAM sẽ đóng vai trò then chốt. Bộ nhớ nhanh hơn giúp các mô hình AI phức tạp hoạt động hiệu quả ngay trên điện thoại, đảm bảo mẫu flagship của hãng vẫn là một “cỗ máy” hiệu năng thực thụ. Bên cạnh đó, Galaxy S26 Ultra còn được cho là sẽ trang bị vi xử lý Snapdragon 8 Elite 2. Sự kết hợp giữa vi xử lý mạnh mẽ và RAM tốc độ cao có thể biến S26 Ultra thành một bản nâng cấp lớn so với thế hệ tiền nhiệm.

Trong bối cảnh các đối thủ cạnh tranh đang đẩy mạnh cuộc đua về bộ nhớ và hiệu năng lưu trữ, việc Samsung không bị tụt lại phía sau là rất quan trọng. Bằng cách kết hợp giữa hiệu suất cao và khả năng tiết kiệm năng lượng, công ty có thể mang lại những cải tiến đồng thời về thời lượng pin lẫn hiệu năng đỉnh.

Nguồn: Tổng hợp